SI7454DP-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Anschlüsse, Verbindungen
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI7454DP-T1-GE3
| Artikelnummer: | SI7454DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
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-
Electro-Films (EFI) / Vishay SI7454DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7454DP-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 7.8A, 10V Verlustleistung (max) 1.9W (Ta) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 33 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V detaillierte Beschreibung N-Channel 100V 5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta) SI7454DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] SI7454DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf -
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